数据列表 | BSC032N03S G |
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产品相片 | 8-PowerTDFN |
标准包装 | 5,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 23A (Ta), 100A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 3.2 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 70µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 39nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 5080pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 78W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装 | PG-TDSON-8(5.15x6.15) |
其它名称 | BSC032N03SGINTR BSC032N03SGXT BSC032N03SGXTINTR BSC032N03SGXTINTR-ND SP000056190 |