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BSC024N025S G|Infineon Technologies
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制造商型号: BSC024N025S G
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
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产品信息
数据列表 BSC024N025S G
产品相片 8-PowerTDFN
产品变化通告 Product Discontinuation 11/Dec/2009
标准包装  5,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)27A (Ta), 100A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2.4 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 90µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)52nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)6530pF @ 15V
功率 - 最大值89W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerTDFN
供应商器件封装PG-TDSON-8(5.15x6.15)
其它名称BSC024N025SGXT
SP000095464
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