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| 型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
| BSB015N04NX3GXUMA1 库存编号:BSB015N04NX3GXUMA1TR-ND Infineon Technologies AG 询价 查看资料 | 0 起订 6-10天 | ||
| BSB015N04NX3GXUMA1 库存编号:BSB015N04NX3GXUMA1CT-ND Infineon Technologies AG 询价 查看资料 | 0 起订 6-10天 | ||
| BSB015N04NX3GXUMA1 库存编号:BSB015N04NX3GXUMA1DKR-ND Infineon Technologies AG 询价 查看资料 | 0 1起订 6-10天 | 1+ | ￥36.25 |
| 型号/制造商 |
| BSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 查看资料 |
| BSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 查看资料 |
| BSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 查看资料 |
| 型号/制造商 |
| BSB015N04NX3 G Infineon Technologies AG MOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3 RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| BSB015N04NX3 G Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON RoHS: Compliant | pbFree: No 搜索 |
| 型号/制造商 |
| BSB015N04NX3 G Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON RoHS: Compliant 搜索 |
| 型号/制造商 |
| BSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies AG MOSFET, N-CH, 40V, 180A, WDSON
搜索 |
| 型号/制造商 |
| BSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies AG Single N-Channel 40 V 1.5 mOhm 107 nC OptiMOS? Power Mosfet - MG-WDSON-2 RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 |
| 型号/制造商 |
| BSB015N04NX3GXUMA1 Infineon Technologies AG
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| 型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
| BSB015N04NX3 G Infineon Technologies | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
 | BSB015N04NX3 G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 暂无PDF 查看详细 |
 | BSB015N04NX3G Infineon | Trans MOSFET N-CH 40V 35A 7-Pin WDSON 暂无PDF 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
| BSB015N04NX3 G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 暂无PDF 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
| BSB015N04NX3 G Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 暂无PDF 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON 详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M? 型号：BSB015N04NX3 G 仓库库存编号：BSB015N04NX3 GCT-ND 别名：BSB015N04NX3 GCT <br> |  |
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
| 数据列表 | BSB015N04NX3 G |
|---|---|
| 产品相片 | BSF030NE2LQ |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 12/May/2009 |
| 标准包装 | 5,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 40V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 36A （Ta）， 180A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 1.5 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 142nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 12000pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 89W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-WDSON |
| 供应商器件封装 | MG-WDSON-2，CanPAK M? |
| 其它名称 | SP000597852 |