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BSB008NE2LXXT|Infineon Technologies
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制造商型号： BSB008NE2LXXT
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET OptiMOS Power MOSFET
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产品信息
制造商:Infineon
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:25 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:180 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:800 mOhms
配置:Single Dual Drain Dual Source
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:MG-WDSON-2
封装:Reel
下降时间:32.4 ns
栅极电荷 Qg:240 nC
最小工作温度:- 40 C
功率耗散:89 W
上升时间:47.2 ns
系列:BSB008NE2
商标名:OptiMOS
典型关闭延迟时间:75 ns
零件号别名:BSB008NE2LXXUMA1
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