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BS107PSTZ|Diodes Inc
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制造商型号: BS107PSTZ
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CHAN 200V TO92-3
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产品信息
数据列表 BS107P
产品相片 TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
标准包装  2,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)120mA (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)30 欧姆 @ 100mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
功率 - 最大值500mW
安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商器件封装TO-92-3
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