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制造商型号： BLS6G3135-120
制造商： NXP Semiconductors
描述： 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:NXP
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
RoHS: 符合
配置:Single
晶体管极性:N-Channel
频率:3.1 GHz to 3.5 GHz
增益:11 dB
输出功率:120 W
汲极/源极击穿电压:60 V
漏极连续电流:7.2 A
闸/源击穿电压:13 V
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:SOT-502A
封装:Tray
最小工作温度:- 65 C
安装风格:SMD/SMT
产品类型:MOSFET Power
电阻汲极/源极 RDS（导通）:160 mOhms
工厂包装数量:20
零件号别名:BLS6G3135-120,112
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