型号/制造商 |
BLF6G10LS-135R112 NXP Semiconductors
搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
BLF6G10LS-135R,112 NXP Semiconductors ![]() ![]() | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | |
![]() | Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B 详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 871.5MHz ~ 891.5MHz 21dB 26.5W SOT502B 型号:BLF6G10LS-135R,112 仓库库存编号:BLF6G10LS-135R,112-ND 别名:934061247112 <br>BLF6G10LS-135R <br>BLF6G10LS-135R-ND <br> | 无铅 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
![]() | BLF6G10LS-135R 112 NXP Semiconductors | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS 暂无PDF 查看详细 |
![]() | BLF6G10LS-135R,112 NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B![]() ![]() 查看详细 |
![]() | BLF6G10LS-135R112 NXP | 原厂原装货 暂无PDF 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
![]() | BLF6G10LS-135R,112 NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B![]() ![]() 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
![]() | BLF6G10LS-135R,112 NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B![]() ![]() 查看详细 |
数据列表 | RF Appl_Design Manual |
---|---|
产品相片 | 2-LDMOST,SOT-502B |
标准包装 | 20 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | RF FET |
系列 | - |
包装 | 托盘 |
晶体管类型 | LDMOS |
频率 | 871.5MHz ~ 891.5MHz |
增益 | 21dB |
电压 - 测试 | 28V |
额定电流 | 32A |
噪声系数 | - |
电流 - 测试 | 950mA |
功率 - 输出 | 26.5W |
电压 - 额定 | 65V |
封装/外壳 | SOT-502B |
供应商器件封装 | SOT502B |
其它名称 | 934061247112 BLF6G10LS-135R BLF6G10LS-135R-ND |