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制造商型号: BLF245,11
制造商: NXP
描述: 射频 MOSFET,N沟道,65V,6A,VHF,SOT123A
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产品信息
典型功率增益15.5 dB
典型输入电容值@Vds125 pF V @ 28
安装类型表面贴装
宽度9.73mm
封装类型SOT-123A
尺寸24.87 x 9.73 x 7.47mm
引脚数目4
最低工作温度-65 °C
最大功率耗散68 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压65 V
最大漏源电阻值0.75 Ω
最大连续漏极电流6 A
最高工作温度+200 °C
每片芯片元件数目1
类别射频 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置双源、单
长度24.87mm
高度7.47mm
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