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制造商型号： BLF177C
制造商： NXP Semiconductors
描述： 射频MOSFET电源晶体管 VDMOS TNS
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产品信息
制造商:NXP
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
RoHS: 符合
配置:Single
晶体管极性:N-Channel
频率:108 MHz
增益:19 dB
输出功率:150 W
汲极/源极击穿电压:125 V
漏极连续电流:16 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:SOT-121B
封装:Tube
最小工作温度:- 65 C
安装风格:SMD/SMT
功率耗散:220 W
产品类型:MOSFET Power
电阻汲极/源极 RDS（导通）:300 mOhms
工厂包装数量:20
零件号别名:BLF177C,112
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