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制造商型号: BF199_Q
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: 两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Fairchild Semiconductor
RoHS:
配置:Single
晶体管极性:NPN
集电极—基极电压 VCBO:40 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V
发射极 - 基极电压 VEBO:4 V
最大直流电集电极电流:0.05 A
增益带宽产品fT:1.1 GHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:38 at 7 mA at 10 V
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-92
最大功率耗散:350 mW
最小工作温度:- 55 C
封装:Bulk
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