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BF199_Q
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
BF199_Q
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:
Fairchild Semiconductor
RoHS:
否
配置:
Single
晶体管极性:
NPN
集电极—基极电压 VCBO:
40 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:
25 V
发射极 - 基极电压 VEBO:
4 V
最大直流电集电极电流:
0.05 A
增益带宽产品fT:
1.1 GHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:
38 at 7 mA at 10 V
最大工作温度:
+ 150 C
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-92
最大功率耗散:
350 mW
最小工作温度:
- 55 C
封装:
Bulk
询价
*所需产品:
型号: BF199_Q 品牌: Fairchild Semiconductor 备注: 两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor
*联系人:
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*电子邮箱:
备注内容:
电脑版
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电话:
400-900-3095