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制造商型号: BF1211WR,11
制造商: NXP
描述: 射频 MOSFET,N沟道,6V,0.03A,双门,CMPAK4
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型功率增益34 dB
典型输入电容值@Vds1.1 pF @ 5 V(网关 2),2.1 pF @ 5 V(网关 1)
安装类型表面贴装
宽度1.35mm
封装类型CMPAK
尺寸2.2 x 1.35 x 1mm
引脚数目4
最低工作温度-65 °C
最大功率耗散0.18 W
最大栅源电压6 V
最大漏源电压6 V
最大连续漏极电流0.03 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别射频 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置双门、单
长度2.2mm
高度1mm
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