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BF1202WR,115 库存编号:568-6153-1-ND NXP Semiconductors ![]() ![]() 询价 查看资料 | 0 1起订 6-10天 | 1+ | ¥10.1 |
BF1202WR,115 库存编号:568-6153-6-ND NXP Semiconductors ![]() ![]() 询价 查看资料 | 0 1起订 6-10天 | 1+ | ¥10.1 |
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BF1202WR,115 NXP Semiconductors RF MOSFET Transistors TAPE-7 MOS-RFSS RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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BF1202WR,115 NXP Semiconductors Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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BF1202WR,11 NXP ![]() ![]() | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | BF1202WR,115 NXP | BF1202 系列 10 V 30 mA N沟道 双栅极 MOS-FET - SOT343R![]() ![]() 查看详细 |
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![]() | NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R 详细描述:RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 12mA 400MHz 30.5dB CMPAK-4 型号:BF1202WR,115 仓库库存编号:568-6153-1-ND 别名:568-6153-1 <br> | 无铅 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | ||
| 制造商零件编号: BF1202WR,115 品牌: NXP 库存编号: 626-2181 |
典型功率增益 | 34.5 dB | |
典型输入电容值@Vds | 1 pF @ 5 V(网关 2),1.7 pF @ 5 V(网关 1) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 1.35mm | |
封装类型 | CMPAK | |
尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
引脚数目 | 4 | |
最低工作温度 | -65 °C | |
最大功率耗散 | 0.2 W | |
最大栅源电压 | 6 V | |
最大漏源电压 | 10 V | |
最大连续漏极电流 | 0.03 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 射频 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 双门、单 | |
长度 | 2.2mm | |
高度 | 1mm |