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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： BF1101WR,11
制造商： NXP
描述： 晶体管，MOSFET，N 沟道，表面安装，7V，30mA，部分集成偏置，SOT343，BF1101WR
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： NXP
描述： 晶体管，MOSFET，N 沟道，表面安装，7V，30mA，部分集成偏置，SOT343，BF1101WR
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型输入电容值@Vds | 1.6 pF @ 5 V（网关 2），2.2 pF @ 5 V（网关 1） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 封装类型 | CMPAK | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最大功率耗散 | 0.2 W | |
| 最大栅源电压 | 7 V | |
| 最大漏源电压 | 7 V | |
| 最大连续漏极电流 | 0.03 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 射频 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双门、单 | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 高度 | 1mm |
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