数据列表 | BC856-858(A-C) |
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产品相片 | SOT-23-3 |
产品培训模块 | Diode Handling and Mounting |
产品目录绘图 | SOT-23 Top |
其它图纸 | SOT-23 Side 1 SOT-23 Side 2 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 65V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 125 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 310mW |
频率 - 跃迁 | 200MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23 |
产品目录页面 | 1631 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | BC856A-TPMSTR BC856ATP |