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产品信息
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场效应管 MOSFET 射频 每卷3K
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
100mA
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漏源电压, Vds:
5V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
370mV
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功耗, Pd:
270mW
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封装类型:
SOT-343
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针脚数:
4
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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SMD标号:
5F
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典型增益带宽, ft:
2GHz
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封装/箱盒:
SOT-343
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带子宽度:
8mm
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总功率, Ptot:
270mW
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每卷数量:
3000
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漏极电流, Id 最大值:
100mA
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电压, Vds 典型值:
2.7V
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电压, Vgs 最高:
1V
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电流, Idss 最大:
100mA
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表面安装器件:
SMD
产地:
MY
Malaysia
询价