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制造商型号: APTM60H23FT1G
制造商: Microsemi Power Products Group
描述: MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1
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产品信息
标准包装 : 1
系列 : -
FET 型 : 4 N 通道(半桥)
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 276 毫欧 @ 17A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 165nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 5316pF @ 25V
功率 - 最大 : 208W
安装类型 : 底座安装
封装/外壳 : SP1
供应商设备封装 : SP1
包装 : 散装
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