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| 型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
| APTM120SK56T1G Microsemi Power Products Group | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 18A（Tc） 390W（Tc） SP1 型号：APTM120SK56T1G 仓库库存编号：APTM120SK56T1G-ND | 无铅 |
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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： APTM120SK56T1G
制造商： Microsemi Power Products Group
描述： MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Microsemi Power Products Group
描述： MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 1200V (1.2kV) |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 672 毫欧 @ 14A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 300nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 7736pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 390W |
| 安装类型 ： | 底座安装 |
| 封装/外壳 ： | SP1 |
| 供应商设备封装 ： | SP1 |
| 包装 ： | 散装 |
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