数据列表 | APT65GP60L2DQ2(G) |
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产品相片 | TO-264 PKG |
产品目录绘图 | TO-264 Front |
标准包装 | 30 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | POWER MOS 7® |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | PT |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.7V @ 15V,65A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 198A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 250A |
功率 - 最大值 | 833W |
Switching Energy | 605µJ (开), 895µ:J (关) |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 210nC |
Td (on/off) A 25°C | 30ns/90ns |
Test Condition | 400V, 65A, 5 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | - |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | * |
产品目录页面 | 1633 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | APT65GP60L2DQ2GMI APT65GP60L2DQ2GMI-ND |