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ALD1110ESAL|Advanced Linear Devices Inc
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制造商型号: ALD1110ESAL
制造商: Advanced Linear Devices Inc
描述: MOSFET N-CH ADJ DUAL 8SOIC
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产品信息
数据列表 ALD1108,10E
产品相片 8-SOIC
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列EPAD®
包装  管件  
FET 类型2 N 沟道(双)配对
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)10V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)500 欧姆 @ 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.01V @ 1µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2.5pF @ 5V
功率 - 最大值600mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC
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