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制造商型号: 2SK3911(Q
制造商: Toshiba
描述: MOSFET,Nch,600V/20A/0.30ohm,TO-3P(N)
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产品信息
典型栅极电荷@Vgs60 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds4250 pF V @ 25
安装类型通孔
宽度4.8mm
封装类型TO-3PN
尺寸15.9 x 4.8 x 19mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散150000 mW
最大栅源电压±30 V
最大漏源电压600 V
最大漏源电阻值0.32 Ω
最大连续漏极电流20 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度15.9mm
高度19mm
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