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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： 2SK3868(Q
制造商： Toshiba
描述： 半导体,分立,功率MOSFET,2SK3868(Q),N沟道,Vdss=500V,Id=5A,TO-220SIS
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Toshiba
描述： 半导体,分立,功率MOSFET,2SK3868(Q),N沟道,Vdss=500V,Id=5A,TO-220SIS
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型栅极电荷@Vgs | 16 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 550 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 4.5mm | |
| 封装类型 | SC-67，TO-220SIS | |
| 尺寸 | 10 x 4.5 x 8.1mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功率耗散 | 35000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.7 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 5 A | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 10mm | |
| 高度 | 8.1mm |
询价