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制造商型号: 2SK3669(Q
制造商: Toshiba
描述: 2SK3669(Q)
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产品信息
典型栅极电荷@Vgs8 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds480 pF V @ 10
安装类型表面贴装
宽度5.5mm
封装类型PW Mold
尺寸6.5 x 5.5 x 2.3mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散20000 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压100 V
最大漏源电阻值0.125 Ω
最大连续漏极电流10 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度6.5mm
高度2.3mm
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