![2SK3586-01|FUJI ELECTRIC](//upload.szcwdz.com/kucunpic/5/56145.jpg)
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产品信息
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场效应管 MOSFET N TO-220AB
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
73A
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漏源电压, Vds:
100V
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在电阻RDS(上):
25mohm
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电压 @ Rds测量:
10V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
5V
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功耗, Pd:
270W
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封装类型:
TO-220AB
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针脚数:
3
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功耗, Pd:
270W
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功耗, Pd:
270W
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单脉冲雪崩能量 Eas:
319.2mJ
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封装/箱盒:
TO-220AB
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引脚节距:
5.45mm
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总功率, Ptot:
270W
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温度 @ 电流测量:
25°C
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满功率温度:
25°C
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漏极电流, Id 最大值:
50A
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
10V
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电压, Vds 典型值:
100V
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电压, Vgs 最高:
30V
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电流, Idm 脉冲:
292A
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结温, Tj 最大值:
150°C
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表面安装器件:
通孔
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阈值电压, Vgs th 最低:
3V
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阈值电压, Vgs th 最高:
5V
产地:
JP
Japan
询价