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2SJ681(Q)|Toshiba
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制造商型号: 2SJ681(Q)
制造商: Toshiba
描述: MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
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产品信息
数据列表 2SJ681
Mosfets Prod Guide
产品相片 DPAK_369D?01
标准包装  200
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  散装  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)5A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)170 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)700pF @ 10V
功率 - 最大值20W
安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商器件封装PW-MOLD2
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