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2SJ655|SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
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制造商型号: 2SJ655
制造商: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
描述: MOSFET P-CH 100V 12A TO-220ML
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产品信息
数据列表 2SJ655
产品相片 TO-220AB
产品目录绘图 TO-220ML Package P-Channel & N-Channel Top
标准包装  100
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  散装  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)12A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)136 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)41nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2090pF @ 20V
功率 - 最大值2W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 整包
供应商器件封装TO-220ML
产品目录页面1536 (CN2011-ZH PDF)
其它名称869-1052
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