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2SJ412(SM,Q)|Toshiba
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制造商型号: 2SJ412(SM,Q)
制造商: Toshiba
描述: MOSFET P-CH 100V 16A TO-220SM
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产品信息
数据列表 2SJ412
Mosfets Prod Guide
产品相片 TO-263
产品目录绘图 2SJ412, 2SK2401 Bottom
2SJ412Q, 2SK2401 Front
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)16A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)210 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)48nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1100pF @ 10V
功率 - 最大值60W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装TO-220SM
其它名称2SJ412(SM,Q)-ND
2SJ412SMQ
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