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2SJ360(TE12L,F) Toshiba America Electronic Components Trans MOSFET P-CH 60V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R (Alt: 2SJ360(TE12L,F)) RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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2SJ360TE12LF Toshiba America Electronic Components Trans MOSFET P-CH Si 60V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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![]() | Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1A(Ta) 500mW(Ta) PW-MINI 型号:2SJ360(TE12L,F) 仓库库存编号:2SJ360(TE12L,F)-ND | 无铅 |
数据列表 | 2SJ360 Mosfets Prod Guide |
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产品相片 | Pkg TA48L0xxF |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 1A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 730 毫欧 @ 500mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6.5nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 155pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 500mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-243AA |
供应商器件封装 | PW-Mini(4.6x4.2) |