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2N7002W-7-F|Diodes Inc
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制造商型号: 2N7002W-7-F
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
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产品信息
数据列表 2N7002W Datasheet
产品相片 SOT-323
其它图纸 SOT-323 Package Top
SOT-323 Package Side 1
SOT-323 Package Side 2
PCN Design/Specification Bond Wire 3/May/2011
PCN Other Multiple Device Changes 29/Apr/2013
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)115mA (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)50pF @ 25V
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323
产品目录页面1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称2N7002W-FDITR
2N7002W7F
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