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制造商型号: 2N7002ET1
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET,N沟道,60V,0.26A,SOT23
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间4.8 ns
典型接通延迟时间1.7 ns
典型栅极电荷@Vgs0.81 nC V @ 5
典型输入电容值@Vds26.7 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度1.3mm
封装类型SOT-23
尺寸2.9 x 1.3 x 0.94mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散300 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压60 V
最大漏源电阻值2.5 Ω
最大连续漏极电流0.26 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别小信号
通道模式增强
通道类型N
配置
长度2.9mm
高度0.94mm
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