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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： 2N7002BKV
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET 双N沟道 60V 0.34A SOT666
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET 双N沟道 60V 0.34A SOT666
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET 双N沟道 60V 0.34A SOT666
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 340mA
- 漏源电压, Vds: 60V
- 在电阻RDS（上）: 1ohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.6V
- 功耗, Pd: 525mW
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: SOT-666
- 针脚数: 6
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 模块配置: 双
- 漏极电流, Id 最大值: 340mA
- 漏源电压 Vds, N沟道: 60V
- 连续漏极电流 Id, N沟道: 340mA
- 通态电阻 Rds(on), N沟道: 1ohm
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