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产品信息
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场效应管 MOSFET N沟道 TO-39
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
6A
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漏源电压, Vds:
100V
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在电阻RDS(上):
300mohm
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电压 @ Rds测量:
10V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
4V
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功耗, Pd:
20W
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工作温度最小值:
-55°C
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工作温度最高值:
150°C
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封装类型:
TO-39
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针脚数:
3
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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单脉冲雪崩能量 Eas:
76mJ
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外部长度/高度:
18.03mm
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封装/箱盒:
TO-39
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工作温度范围:
-55°C 至 +150°C
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引线长度:
14.22mm
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晶体管数:
1
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温度 @ 电流测量:
25°C
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满功率温度:
25°C
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漏极电流, Id 最大值:
6A
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
10V
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电压, Vds 典型值:
100V
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电压, Vgs 最高:
4V
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电流, Idm 脉冲:
24A
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结温, Tj 最大值:
150°C
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结??, Tj 最小值:
-55°C
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表面安装器件:
通孔
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重量:
0.0024kg
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阈值电压, Vgs th 最高:
4V
询价