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产品信息
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场效应管 JFET N沟道 40V TO18
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晶体管类型:
结型场效应晶体管(JFET)
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击穿电压:
-40V
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零闸电压漏极电流, Idss 最小值:
8mA
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零闸电压漏极电流, Idss 最大值:
80mA
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栅极源极截断电压, Vgs 最大值:
-4V
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功耗, Pd:
300mW
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封装类型:
TO-18
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针脚数:
3
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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工作温度范围:
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零闸极电压漏极电流, Idss:
8mA 至 80mA
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