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制造商型号: TPCA8003-H(Q
制造商: Toshiba
描述: MOSFET 晶体管,硅,N沟道,TPCA8003-H(Q)
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产品信息
典型栅极电荷@Vgs13 nC V @ 5, 25 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds1465 pF V @ 10
安装类型表面贴装
宽度5mm
封装类型SOP 高级
尺寸5 x 5 x 0.95mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散2800 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值0.007 Ω
最大连续漏极电流35 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置四漏极、单、三源
长度5mm
高度0.95mm
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