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STP9NK65Z|STMicroelectronics
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制造商型号: STP9NK65Z
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220
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产品信息
数据列表 STP9NK65Z(FP)
产品相片 TO-220AB
其它有关文件 STP9NK65Z View All Specifications
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列SuperMESH™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6.4A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1.2 欧姆 @ 3.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)41nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1145pF @ 25V
功率 - 最大值125W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
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