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STB7NK80Z-1|STMicroelectronics
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制造商型号: STB7NK80Z-1
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
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产品信息
数据列表 ST(B,P)7NK80Z(-1,FP)
产品相片 TO-262-3
其它有关文件 STB7NK80Z-1 View All Specifications
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列SuperMESH™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)5.2A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1.8 欧姆 @ 2.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)56nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1138pF @ 25V
功率 - 最大值125W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装I2PAK
其它名称497-12539-5
STB7NK80Z-1-ND
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