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SIA400EDJ-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SIA400EDJ-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 30V 12A 19.2W 19mOhms @ 4.5V
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30 V
闸/源击穿电压:+/- 12 V
漏极连续电流:12 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:19 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SC-70
封装:Reel
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:19.2 W
零件号别名:SIA400EDJ-GE3
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