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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： SI8806DB-T2-E1
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 12V MICROFOOT
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 12V MICROFOOT
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N沟道 12V MICROFOOT
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 3.9A
- 漏源电压, Vds: 12V
- 在电阻RDS（上）: 0.035ohm
- 电压 @ Rds测量: 4.5V
- 功耗, Pd: 900mW
- 工作温度最小值: -50°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: MICRO FOOT
- 针脚数: 4
- MSL: MSL 1 -无限制
- 工作温度范围: -50°C 至 +150°C
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