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QS8M51TR|Rohm Semiconductor
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制造商型号: QS8M51TR
制造商: Rohm Semiconductor
描述: MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
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产品信息
数据列表 QS8M51
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2A,1.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)325 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)4.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)290pF @ 25V
功率 - 最大值1.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线
供应商器件封装TSMT8
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