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IRFR1N60ATRRPBF|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: IRFR1N60ATRRPBF
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
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产品信息
数据列表 IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_1N60A
产品相片 TO-263
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)1.4A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)7 欧姆 @ 840mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)229pF @ 25V
功率 - 最大值36W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装D-Pak
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