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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： FQU11P06
制造商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
描述： ???效应管 MOSFET P I-PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
描述： ???效应管 MOSFET P I-PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET P I-PAK
- 晶体管极性: P沟道
- 电流, Id 连续: 9.4A
- 漏源电压, Vds: 60V
- 在电阻RDS（上）: 185mohm
- 电压 @ Rds测量: -10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: -4V
- 功耗, Pd: 38W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: TO-251AA
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013)
- SMD标号: FQU11P06
- 上升时间: 40ns
- 下降时间: 45ns
- 功耗, Pd: 38W
- 功耗, Pd: 38W
- 外宽: 6.6mm
- 外部深度: 16.10mm
- 外部长度/高度: 2.3mm
- 封装/箱盒: IPAK
- 封装类型, 其它: I-PAK
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 时间, t off: 45ns
- 时间, t on: 40ns
- 晶体管数: 1
- 温度 @ 电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id 最大值: 9.4A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: -10V
- 电压, Vds 典型值: -60V
- 电压, Vgs 最高: -4V
- 电流, Idm 脉冲: 37.6A
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