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FDMS3660S|Fairchild Semiconductor
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制造商型号: FDMS3660S
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN
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产品信息
数据列表 FDMS3660S
产品相片 8-PowerTDFN
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列PowerTrench®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)13A,30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)8 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1765pF @ 15V
功率 - 最大值1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerTDFN
供应商器件封装Power56
其它名称FDMS3660SFSTR
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