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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： DMG1016UDW
制造商： Diodes/Zetex
描述： MOSFET，N/P沟道，20V，1.066A/0.845A，SOT363
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Diodes/Zetex
描述： MOSFET，N/P沟道，20V，1.066A/0.845A，SOT363
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 26.7（N 沟道）；28.4（P 沟道）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 5.1（N 沟道）ns，5.1（P 沟道）ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 622.4 pC V @ -4.5（P 沟道），736.6 pC V @ 4.5（N 沟道） | |
| 典型输入电容值@Vds | 59.76 pF @ -16 V（P 沟道），60.67 pF @ 10 V（N 沟道） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 封装类型 | SOT-363 | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 330 mW | |
| 最大栅源电压 | ±6（N 沟道）V，±6（P 沟道）V | |
| 最大漏源电压 | 20（N 沟道）V、-20（P 沟道）V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.75（N 沟道）Ω，1.5（P 沟道）Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 1066（N 沟道）mA，845（P 沟道）mA | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N，P | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 高度 | 1mm |
询价