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产品信息
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场效应管 MOSFET N RF DE375
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
12A
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漏源电压, Vds:
1kV
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在电阻RDS(上):
950mohm
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电压 @ Rds测量:
15V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
5.5V
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功耗, Pd:
940W
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封??类型:
DE-375
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针脚数:
6
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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上升时间:
3ns
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功耗, Pd:
940W
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功耗, Pd:
940W
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封装/箱盒:
DE-375
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漏极电流, Id 最大值:
12A
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
15V
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电压, Vds 典型值:
1kV
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电压, Vgs 最高:
20V
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电容值, Ciss 典型值:
2000pF
产地:
US
United States
询价