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2SJ352-E|Renesas Electronics America
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制造商型号: 2SJ352-E
制造商: Renesas Electronics America
描述: MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P
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产品信息
数据列表 2SJ351-52
产品相片 TO-3P-3, SC-65-3; PRSS0004ZE-A
标准包装  1
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)8A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)800pF @ 10V
功率 - 最大值100W
安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装TO-3P
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