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2N7002ET3G|ON Semiconductor
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制造商型号: 2N7002ET3G
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
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产品信息
产品相片 SOT-23-3
产品变化通告 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009
Product Obsolescence 21/Jan/2010
标准包装  10,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)260mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2.5 欧姆 @ 240mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)0.81nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)26.7pF @ 25V
功率 - 最大值300mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)
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